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星河微电拟3.1亿元投建 分立器件产业化基地

发布日期:2025-07-13 06:12    点击次数:199

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  证券时报记者 叶玲珍

  7月11日晚间,星河微电(688689)发布公告,公司拟以3.1亿元投资试验“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房缔造技俩”,旨在进步公司集成电路分立器件家具的分娩加工智商,扩大分娩领域。

  公告披露,本次投资资金着手为公司自有资金或自筹资金,缔造周期30个月,揣测通过购置地皮及开展厂房土建工程,为后续高端集成电路分立器件产业化基地缔造奠定基础。

  当作国内跳跃的半导体分立器件制造商,星河微电主要家具包括小信号器件、功率器件、光电器件、电源措置IC选取三代半导体(SiC、GaN)器件,家具无为诈欺于汽车电子、破费电子、工业章程、新动力及5G通讯等领域。

  连年来,受益于下流需求的苍劲起先,我国半导体分立器件行业市集领域无间扩大,业内企业接踵成绩红利。2022年至2024年,星河微电商业收入分辩为6.76亿元、6.95亿元、9.09亿元,呈逐年高潮态势。公司默示,受分娩方位、开拓及东说念主力资源的放胆,面前产能已难以心仪日益增长的市集需求,本次激动关系半导体分立器件产能领域膨大,可促进业务发展,进一步进步盈利水平。

  现在,硅材料平台仍然是主流的半导体分立器件工艺平台,并将在未来格外一段技能内占据主要市集,但新的半导体材料,如SiC、GaN工艺平台正在逐渐走向纯属,并在新动力汽车、光伏逆变器等场景的诈欺占比显赫进步。

  2024年,公司应时优化家具结构,重心进步MOS家具、TVS及稳压管家具的销售占比,推动产销量稳步增长,至极是在车规级半导体器件产业化技俩方面,客户拓展取得显赫冲突。与此同期,进一步激动光电器件及IGBT器件扩产,加大对新增开拓干与。

  为抢持市集机遇,星河微电无间加速高端家具研发及产业化程度。现在,公司初步具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片规划智商,况且完了了小批量诈欺。

  在新产业布局方面,星河微电“车规级半导体器件产业化”技俩进入产能爬坡阶段,家具涵盖IGBT、SiC MOSFET等,赢得多家车企供应链认证,聚焦新动力汽车的电机章程、车载充电系统及ADAS领域,心仪AEC-Q101等国际车规设施,逐渐替代英飞凌、安森好意思等国外厂商的中高端市集份额。同期,光电耦合器及LED家具已诈欺于工业自动化、医疗开拓等领域, 并与多家客户配合,开发高精度传感器及电源措置模块。

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